在材料研發(fā)與高溫工藝領域，傳統(tǒng)的材料制備技術長期面臨著升溫響應慢、溫度不穩(wěn)、能效低、重復性差等難題，嚴重制約了其在半導體制造、納米材料合成、石墨烯制備等前沿方向的應用深度與效率突破。

合肥原位科技推出全新一代閃蒸焦耳加熱裝置，以脈沖快速放電技術為核心，實現(xiàn)毫秒級快速升降溫與多段精準控溫，有效攻克傳統(tǒng)設備在溫度控制、數(shù)據(jù)采集與工藝重復性等方面的瓶頸。

        產(chǎn)品介紹

閃蒸焦耳加熱裝置采用最新脈沖快速放電模式，對實驗樣品進行快速升溫、快速降溫，可控升溫溫度，廣泛應用于粉末狀與薄片狀新材料瞬間升溫燒結，其可在真空、非真空、氣氛環(huán)境下進行加熱樣品，精準采集升溫時的峰值電壓、峰值電流、峰值電阻等數(shù)據(jù)，可切換手動放電升溫和自動放電升溫，最大程度控制電壓精準釋放，升溫溫度重復性高，溫差小，速度快，擾動降低。

設備裝樣簡單，操作安全，透明腔體可有效觀察升溫變化，最高支持真空環(huán)境-0.08MPa，可通流動惰性氣體，升溫曲線顯示，電壓參數(shù)控制。

產(chǎn)品特點

1、極速熱沖擊：

30ms內瞬態(tài)升溫，600ms內快速冷卻。

2、全程環(huán)境兼容：

真空、氣氛與常壓環(huán)境下均可穩(wěn)定運行。

3、工藝精準可復現(xiàn)：

智能控溫，溫差≤±100℃，支持手動/自動雙模式。

4、數(shù)據(jù)實時洞察：

精準采集，實時顯示電壓、電流、電阻及升溫曲線。

5、安全直觀易操作：

透明腔體設計，裝樣簡便，支持流動氣體與真空環(huán)境。

產(chǎn)品參數(shù)

        應用領域

1. 納米材料合成與改性

· 可控晶體生長：通過精確控制升溫曲線與高溫駐留時間，引導納米顆粒、量子點的成核與生長過程，實現(xiàn)尺寸與形貌的精準調控。

· 材料相變與活化：瞬間高溫場可誘導材料發(fā)生特定相變，或快速激活表面官能團，為制備高性能催化劑、能源存儲材料開辟新路徑。

2. 石墨烯與二維材料制備

· 高效綠色制備：利用焦耳熱沖擊，可瞬間將前驅體（如生物質、高分子）中的非碳元素去除，實現(xiàn)石墨烯的快速、低成本、無污染合成。

· 材料修復與摻雜：快速修復氧化石墨烯的晶格缺陷，提升其導電性；或在高溫氣氛中實現(xiàn)氮、硫等元素的瞬間摻雜，定制化調控其電子特性。

3. 高性能合金表面熱處理

· 表面快速改性：對合金表面進行“熱沖擊淬火”，可在毫秒級時間內形成超細晶粒結構或非晶層，顯著提升材料表面的硬度、耐磨性與耐腐蝕性，而基體性能不受影響。

4. 陶瓷基復合材料燒結

· 超高速致密化：突破傳統(tǒng)燒結技術耗時長、能耗高的瓶頸，在數(shù)秒內實現(xiàn)陶瓷粉末或前驅體的極速燒結與致密化，有效抑制晶粒過度長大，獲得更高強度的微觀結構。

5. 高分子與生物基材料高溫實驗

· 瞬時碳化與轉化：將高分子前驅體或生物質（如木材、纖維素）置于高溫場中，可實現(xiàn)瞬間碳化，制備多孔碳材料，廣泛應用于超級電容器、吸附劑等領域。

· 快速交聯(lián)與固化：為特定高分子材料提供超快速固化條件，研究其在極端高溫下的結構與性能演變。

6. 半導體器件研發(fā)與制造

· 精準退火與摻雜：實現(xiàn)極速退火，有效修復晶格缺陷，精準激活摻雜劑，大幅提升半導體元件的載流子遷移率與性能一致性。

· 界面工程：在瞬間高溫下對界面進行改性，增強層間附著力，降低接觸電阻，為高性能晶體管和存儲器件制造提供關鍵工藝支持。